دیتاشیت TK55S10N1,LQ

TK55S10N1,LQ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TK55S10N1,LQ
حجم فایل 70.96 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت TK55S10N1,LQ

TK55S10N1,LQ Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: TOSHIBA TK55S10N1,LQ
  • Power Dissipation (Pd): 157W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 49nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3280pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@500uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,27.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: TOSHIBA

دیتاشیت محصولات مشابه